Tóm tắt Luận án Nghiên cứu động học quá trình lắng đọng lớp hấp thụ của pin mặt trời màng mỏng CIGS trong phương pháp điện hóa (Electrodeposition)

3.3. Chế tạo màng mỏng CIGS với hợp thức Cu(In0.7Ga0.3)Se2 và

khảo sát đặc trƣng quang điện

Mục đích của chúng tôi là chế tạo được lớp hấp thụ CIGS với

hợp thức Cu(In0.7Ga0.3)Se2 ứng dụng cho PMT. Hợp thức

Cu(In0.7Ga0.3)Se2 được chọn để chế tạo bởi vì theo kết quả ở phần 2.4

trong luận án của Ngô Đình Sáng thì độ rộng vùng cấm tối ưu đối

với lớp hấp thụ CIGS là 1,4 eV tương ứng với tỉ lệ nồng độ In/Ga là

70/30. Để có thể chế tạo màng mỏng CIGS với hợp thức mong muốn

như vậy, chúng tôi tiến hành bổ sung loạt thí nghiệm khảo sát sự phụ

thuộc vào điện thế của thành phần màng CIGS và ảnh hưởng của

nồng độ ion Cu2+ lên thành phần màng CIGS. Cuối cùng, để khảo sát

đặc trưng quang điện của màng CIGS thu được, một panel PMT đơn

giản với cấu hình Al/CIGS/ITO/soda-lime glass đã được chế tạo.

TÀI LIỆU LUẬN VĂN CÙNG DANH MỤC

TIN KHUYẾN MÃI

  • Thư viện tài liệu Phong Phú

    Hỗ trợ download nhiều Website

  • Nạp thẻ & Download nhanh

    Hỗ trợ nạp thẻ qua Momo & Zalo Pay

  • Nhận nhiều khuyến mãi

    Khi đăng ký & nạp thẻ ngay Hôm Nay

NẠP THẺ NGAY