Tóm tắt Luận án Chế tạo, nghiên cứu tính chất quang và định hướng ứng dụng trong tán xạ raman tăng cường bề mặt của các hệ dây nanô silic xếp thẳng hàng

Kể từ phát hiện của Canham năm 1990 về sự phát quang mạnh trong

vùng nhìn thấy của silic xốp (porous silicon - PSi), rất nhiều nhóm tác

giả đã đi sâu vào nghiên cứu hiện tượng này và phần lớn các nhóm đã đi

đến thống nhất rằng các vật liệu Si có cấu trúc nanô phát quang chủ yếu

thông qua việc các vật liệu này chứa trong mình các nanô tinh thể Si

(silicon nanocrystallities - SiNC), và đến lượt mình, các SiNC phát

quang nhờ vào hiệu ứng giam giữ lượng tử (quantum confinement effect

- QCE). Cho đến nay, QCE cũng được coi là lý thuyết phù hợp nhất đối

với sự phát quang của các vật liệu Si có cấu trúc nanô. Tuy vậy, sự thụ

động hóa bề mặt, các trạng thái bề mặt định xứ hay các sai hỏng trong

SiO2 cũng đã được đề xuất là có đóng góp đến sự phát PL của SiNC

trong vật liệu Si cấu trúc nanô.

- Hiệu ứng giam giữ lượng tử (QCE): Khi kích thước của khối bán

dẫn giảm xuống đến xấp xỉ giá trị của bán kính Borh exciton của bán

dẫn khối, thì hạt tải điện bị giam trong khối này sẽ thể hiện tính chất

giống như một hạt chuyển động trong một hố thế. Nghiệm của phương

trình Schrodinger trong trường hợp này là các mức năng lượng gián

đoạn và rời rạc với năng lượng tỉ lệ nghịch với chiều rộng của hố thế.

Những chuyển dời của hạt tải điện giữa hai mức năng lượng gián đoạn

nói trên sẽ gây ra quang phổ vạch. Hệ hạt khi đó được gọi là hệ bị giam

giữ lượng tử. Hệ quả của QCE chính là sự tăng cường cường độ phát

quang (thông qua việc tăng hiệu suất tái hợp phát xạ của cặp điện tử - lỗ

trống) và sự mở rộng của vùng cấm của vật liệu.

TÀI LIỆU LUẬN VĂN CÙNG DANH MỤC

TIN KHUYẾN MÃI

  • Thư viện tài liệu Phong Phú

    Hỗ trợ download nhiều Website

  • Nạp thẻ & Download nhanh

    Hỗ trợ nạp thẻ qua Momo & Zalo Pay

  • Nhận nhiều khuyến mãi

    Khi đăng ký & nạp thẻ ngay Hôm Nay

NẠP THẺ NGAY